В Китае впервые запустили электронный пучок на 2,2 ГэВ в комплексе HALF
2026-09-29
China realizó por primera vez el paso de un haz de electrones a través de la sección lineal de 192 metros del complejo sincrotrón en construcción Hefei Advanced Light Facility (HALF). Durante la prueba del 20 de septiembre, los electrones fueron acelerados hasta la energía proyectada de 2,2 GeV (2.200 millones de electron-voltios). Este lanzamiento exitoso abre el camino para la siguiente etapa: suministrar el haz al anillo de almacenamiento de la futura fuente de radiación de rayos X blandos de ultra alta intensidad.
Aunque HALF aún no es una instalación científica operativa, los ingenieros confirmaron el funcionamiento del inyector y el paso de los electrones por todo el acelerador lineal. El siguiente paso es estabilizar el transporte del haz hacia el anillo de almacenamiento y lograr una circulación constante de electrones para obtener radiación sincrotrón funcional. Según el plan del proyecto, el complejo estará listo para su uso por investigadores en el año 2028.
El acelerador lineal actúa como la puerta de entrada de HALF. Un cañón de electrones forma el haz, las estructuras de aceleración impulsan las partículas casi a la velocidad de la luz y la línea de transporte debe enviarlas al anillo. Allí, un sistema magnético mantiene las partículas en una trayectoria cerrada, mientras que elementos magnéticos especiales obligan a los electrones a emitir una radiación electromagnética intensa. Este principio es similar al de otros sincrotrones modernos que funcionan como microscopios de investigación gigantes.
La principal ventaja de HALF no es solo su energía, sino la calidad del haz. El complejo utiliza un esquema de anillo de almacenamiento limitado por difracción, típico de las fuentes de radiación de cuarta generación. Esto permite un haz de electrones muy estrecho y ordenado, produciendo una radiación significativamente más brillante y coherente. El laboratorio nacional chino estima que la brillanteza de HALF superará a las fuentes de tercera generación en más de 100 veces.
El proyecto incluye al menos 35 líneas de investigación destinadas al estudio de materiales cuánticos, superconductores, baterías, procesos químicos, objetos biológicos y la estructura electrónica de la materia. Una de las áreas más destacadas es el ultravioleta extremo, donde se construye una línea experimental para estudiar procesos de litografía (técnica para fabricar circuitos integrados) y estados electrónicos en el rango del ultravioleta de vacío.
Es prematuro afirmar que este avance permitirá a China fabricar procesadores avanzados de inmediato. La litografía EUV (ultravioleta extremo) industrial requiere no solo una fuente de radiación, sino también óptica compleja, máscaras fotográficas y sistemas de vacío altamente especializados. HALF es, ante todo, un sincrotrón de investigación, aunque sus experimentos ayudarán a desarrollar los materiales y procesos necesarios para la futura fabricación de microchips.